一、靜電屏蔽

用完整的金屬屏蔽體將帶正電導體包圍起來，在屏蔽體的內側將感應出與帶電導體等量的負電荷，外側出現(xiàn)與帶電導體等量的正電荷，如果將金屬屏蔽體接地，則外側的正電荷將流入大地，外側將不會有電場存在，即帶正電導體的電場被屏蔽在金屬屏蔽體內。

二、交變磁場屏蔽

交變磁場屏蔽有高頻和低頻之分。低頻磁場屏蔽是使用高磁導率的資料構成低磁阻通路，使大部分磁場被集中在屏蔽體內。屏蔽體的磁導率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽的效果越好。當然要與設備的重量相和諧。高頻磁場的屏蔽是使用高電導率的資料發(fā)生的渦流的反向磁場來抵消攪擾磁場而實現(xiàn)的。

三、交變電磁場

一般采用電導率高的資料作屏蔽體，并將屏蔽體接地。它是使用屏蔽體在高頻磁場的作用下發(fā)生反方向的渦流磁場與原磁場抵消而削弱高頻磁場的攪擾，又因屏蔽體接地而實現(xiàn)電場屏蔽。屏蔽體的厚度不用過大，而以趨膚深度和結構強度為首要考慮要素。

四、交變電場屏蔽

為下降交變電場對靈敏電路的耦合攪擾電壓，可以在攪擾源和靈敏電路之間設置導電性好的金屬屏蔽體，并將金屬屏蔽體接地。交變電場對靈敏電路的耦合攪擾電壓巨細取決于交變電場電壓、耦合電容和金屬屏蔽體接地電阻之積。只要設法使金屬屏蔽體杰出接地，能使交變電場對靈敏電路的耦合攪擾電壓變得很小。電場屏蔽以反射為主，因而屏蔽體的厚度不用過大，而以結構強度為首要考慮要素。